忻州经济开发区半导体新材料产业集群园

忻州经济开发区半导体新材料产业集群园总占地面积控制在2460亩，具体分为东区占地200亩，位于云中路以西，正丰街以南，学院街以北，禹王路两侧；西区占地2260亩，位于凤栖街以南，七一路以东，开元街以北。 （1）规划定位 忻州经济开发区半导体新材料产业集群园规划建设要以半导体材料加工制造为基础，集聚高端要素，突出产业链延伸、制造、销售、物流等其他生产性服务业为一体的产业链体系，兼具特色文化、特色生态和特色建筑，在国内具有一定影响力的园区经济小镇。 （2）规划结构 根据忻州经济开发区半导体新材料产业集群园的建设目标与功能组成，形成满足功能需求的形态特征与用地布局，总体构建“两片区”的结构布局。 “两片区”：忻州经济开发区半导体新材料产业集群园以新建北路和开元街为轴划分为东西两个片区，东区以兼顾半导体新材料生产与商业教育功能，重点打造产学研一体的发展区块；西区以已建设的微波芯片、蓝宝石、砷化镓项目为核心的生产功能区块。 （3）配套基础设施 给水系统：规划水源由忻州市自来水供给，园区采用分质供水，生活给水和部分工业用水由水厂供水，另部分工业和道路浇洒由污水厂回用供水。 排水系统：生产过程排放废水由企业处理达标后排入市政管网，统一纳入忻州市城市污水处理系统。